中国半导体弯道超车！全球首条6/8英寸氧化镓量产：领先国外至少3年

晶体缺陷密度大幅优化。中国至少

小尺寸晶圆单批芯片产出少、半导

氧化镓适配800V车载快充、体弯条英

首批6英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆已同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证。道超大幅减少贵金属铱的车全寸氧消耗。镓仁半导体一举打通了单晶生长、球首

同质外延晶格完美匹配衬底，杭州镓仁半导体近日宣布，

目前多家海外企业及科研机构已陆续下单，无需新建专属产线。

8英寸工艺已同步完成技术验证并预留扩产空间，该产线依托企业自研的铸造法单晶长晶技术与定制化MOCVD外延工艺。

配合超薄衬底加工技术，这条兼容产线可直接复用国内现有成熟晶圆制造设备，衬底单片成本降幅超过80%，低导通损耗的材料优势。可充分释放氧化镓超高耐压、

技术层面，

7月6日消息，衬底加工到同质外延的全流程量产链路。光伏储能、本次产线投产正式推动氧化镓从实验室研发迈入商业化批量供货阶段。这标志着我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产重大突破。