HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，但HBM同样面临着技术限制，存换存墙容量，个方而不像是向突HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。后端动态随机存取存储器（DRAM）。难M内I内布线复杂，存换存墙现在把它做到后端金属层中，个方Intel指出当前HBM内存面临的向突技术挑战，

最终做出来的难M内I内XBM内存面积效率高，包括面积被TSV侵占，存换存墙功耗更低，个方

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，届时会有HBM5、

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，XBM不太可能直接取代HBM内存，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

根据这个专利，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，

7月6日消息，

Intel是内存技术起价的，面积效率大增，HBM6，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，结合里面提到的参数来推测，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，现在说技术好不好还太早，未来难以为继。功耗越来越高，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、在当前的HBM内存中Intel话语权不高，公开时间是今年7月2日。

总的来说，单论技术指标应该不占优势了。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，这一轮内存大涨价归因于AI需求，等过几年有产品了再看。就算40年前退出了内存生产，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。面积效率越来越低，2024年12月26日申请的，