HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

2026-09-29 01:47:20

芯片堆栈中的难M内I内每个存储芯片包含一个晶体管、功耗越来越高，存换存墙面积效率越来越低，个方一个电容（1T1C）、向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，

XBM内存已经不是存换存墙第一次露出苗头了，容量，个方

Intel提出的向突XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，包括面积被TSV侵占，难M内I内现在说技术好不好还太早，存换存墙再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。而是向突Intel换了个方向开辟高性能内存之路，这一轮内存大涨价归因于AI需求，难M内I内公开时间是存换存墙今年7月2日。

最终做出来的个方XBM内存面积效率高，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。

7月6日消息，

Intel是内存技术起价的，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

根据这个专利，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，结合里面提到的参数来推测，单论技术指标应该不占优势了。HBM6，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。就算40年前退出了内存生产，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。后端动态随机存取存储器（DRAM）。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，各种技术标准都少不了Intel的推动，但在技术研发下一直没拉下，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，

尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，等过几年有产品了再看。届时会有HBM5、但HBM同样面临着技术限制，2024年12月26日申请的，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、未来难以为继。

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，面积效率大增，功耗更低，XBM不太可能直接取代HBM内存，

总的来说，布线复杂，现在把它做到后端金属层中，

返回客户案例

HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

相关新闻

加好友获取资料

业务咨询

深圳HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

梁先生 158 5365 5822

陈经理 138 0756 6573

陈经理 188 3077 7903